南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開發(fā)服務(wù)，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產(chǎn)品具有耐功率、高速等優(yōu)勢，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達(dá)600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠(yuǎn)距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實(shí)現(xiàn)裝置的小型化；用于太赫茲系統(tǒng)，可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率，實(shí)現(xiàn)太赫茲源小型化，為6G通信等未來應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司可提供大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產(chǎn)品開發(fā)服務(wù)。江蘇化合物半導(dǎo)體芯片工藝定制開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)的聚焦離子束電鏡系統(tǒng)的高分辨率能力可以有效地幫助研發(fā)人員觀察微觀結(jié)構(gòu)上的差異和變化，找出問題的原因。通過該系統(tǒng)，研發(fā)人員可以了解到材料表面的形貌特征以及試驗(yàn)品內(nèi)部的剖面層結(jié)構(gòu)。利用元素成分分析功能，研發(fā)人員可以準(zhǔn)確地了解各種元素的分布情況，從而更好地理解材料的組成和性質(zhì)。該系統(tǒng)具備的表面形貌、剖面層結(jié)構(gòu)分析以及元素成分分析功能，為科研工作者提供了重要的數(shù)據(jù)支持。表面形貌、材料層次結(jié)構(gòu)、元素成分的表征，可以有效幫助研發(fā)人員深入了解試驗(yàn)品的情況，從而提出解決方案。吉林碳納米管器件及電路芯片加工南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司太赫茲測試設(shè)備可以達(dá)到500GHz的測試頻率。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)的光刻工藝技術(shù)服務(wù)，可以實(shí)現(xiàn)50nm級(jí)別的芯片制造，通過精密的光掩模和照射技術(shù)，將所需圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓上，為芯片的制造提供關(guān)鍵技術(shù)支持。金屬化工藝技術(shù)服務(wù)，能夠?qū)⒔饘賹?dǎo)線和電極精確地沉積在芯片表面，實(shí)現(xiàn)電路的連接和信號(hào)傳輸，為芯片的性能和穩(wěn)定性打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。高溫處理是芯片制造過程中不可或缺的環(huán)節(jié)，公司的平臺(tái)提供專業(yè)的高溫處理技術(shù)服務(wù)，可以在適當(dāng)?shù)臏囟群蜁r(shí)間條件下，對芯片進(jìn)行退火、氧化等處理，以提高其性能。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)致力于為客戶提供芯片制造全流程工藝技術(shù)服務(wù)，研究院的專業(yè)團(tuán)隊(duì)將竭誠提供技術(shù)支持和咨詢服務(wù)，為項(xiàng)目成功開展提供有力保障。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術(shù)開發(fā)服務(wù)，該芯片具有低勢壘高度與高截止頻率的特點(diǎn)，支持零偏壓毫米波、太赫茲混頻、檢波電路，可大大減小電路噪聲，提高電路動(dòng)態(tài)范圍，且可以簡化系統(tǒng)架構(gòu)。在太赫茲安檢和探測等場景中，零偏太赫茲檢波模塊是非常重要的器件。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司致力于為客戶提供先進(jìn)的技術(shù)解決方案，其服務(wù)范圍較廣，涵蓋了整個(gè)技術(shù)開發(fā)周期，包括需求分析、方案設(shè)計(jì)、器件制造等多個(gè)方面。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開發(fā)服務(wù)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù)，可進(jìn)行以下先進(jìn)集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓，用于低損耗光學(xué)平臺(tái)；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺(tái)；4)Miro-Cavity-SOI，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺(tái)；5)SionSiC/Diamond，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。芯谷高頻研究院提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術(shù)開發(fā)服務(wù)，該芯片電路工作頻段達(dá)到1.5THz。湖南光電器件及電路器件及電路芯片工藝技術(shù)服務(wù)

芯谷高頻研究院的熱物性測試儀產(chǎn)品能夠準(zhǔn)確、高效地測試材料的熱物性，為研究人員提供數(shù)據(jù)支撐。江蘇化合物半導(dǎo)體芯片工藝定制開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司熱情歡迎上下游企業(yè)入駐園區(qū)。中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園位于南京秦淮區(qū)，是一個(gè)擁有完善基礎(chǔ)設(shè)施的現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)園區(qū)。中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園以高科技產(chǎn)業(yè)為主，聚集了多家企業(yè)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司作為中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園的重要組成部分，自成立以來致力于高頻器件的研發(fā)。公司擁有多項(xiàng)重要技術(shù)和成果。同時(shí)，公司也非常重視與上下游企業(yè)的合作與交流，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、市場營銷等方面積極尋求合作伙伴，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的不斷完善與創(chuàng)新，對于提升整個(gè)產(chǎn)業(yè)的競爭力和市場份額具有積極的意義。中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園還提供完備的服務(wù)支持，包括研發(fā)創(chuàng)新、財(cái)務(wù)稅務(wù)、人力資源、營銷推廣等方面的專業(yè)指導(dǎo)和支持，幫助入駐企業(yè)在競爭激烈的市場中立足并獲得成功。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司誠邀各位上下游企業(yè)加入中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園，共同謀求發(fā)展和進(jìn)步，為行業(yè)帶來更多的創(chuàng)新和機(jī)遇。江蘇化合物半導(dǎo)體芯片工藝定制開發(fā)