電池濕法設(shè)備的成本因設(shè)備規(guī)模、生產(chǎn)能力、設(shè)備品質(zhì)等因素而異。一般來(lái)說(shuō)，電池濕法設(shè)備的成本包括設(shè)備本身的采購(gòu)費(fèi)用、安裝調(diào)試費(fèi)用、運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用等。設(shè)備本身的采購(gòu)費(fèi)用是影響成本的主要因素之一，一般來(lái)說(shuō)，設(shè)備規(guī)模越大，生產(chǎn)能力越高，設(shè)備品質(zhì)越好，成本也就越高。此外，設(shè)備的運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用也是影響成本的重要因素之一，包括能源消耗、人工維護(hù)費(fèi)用、設(shè)備壽命等。因此，在選擇電池濕法設(shè)備時(shí)，需要綜合考慮設(shè)備的采購(gòu)費(fèi)用、運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用等因素，以確保設(shè)備的成本合理、經(jīng)濟(jì)。電池濕法制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。鄭州HJT濕法供應(yīng)商
電池濕法去PSG設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺(tái)歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵；河南大產(chǎn)能濕法三頭電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）采用閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。
光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。
在選擇電池濕法設(shè)備時(shí)，需要考慮以下因素：1.生產(chǎn)規(guī)模：根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模選擇合適的設(shè)備，以滿足生產(chǎn)需求。2.設(shè)備質(zhì)量：選擇質(zhì)量可靠、穩(wěn)定的設(shè)備，以確保生產(chǎn)過(guò)程中的安全和穩(wěn)定性。3.設(shè)備價(jià)格：根據(jù)預(yù)算選擇合適的設(shè)備，以確保經(jīng)濟(jì)效益。4.設(shè)備維護(hù)和保養(yǎng)：選擇易于維護(hù)和保養(yǎng)的設(shè)備，以確保設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。5.生產(chǎn)工藝：根據(jù)生產(chǎn)工藝選擇合適的設(shè)備，以確保生產(chǎn)過(guò)程中的效率和質(zhì)量。6.環(huán)保要求：選擇符合環(huán)保要求的設(shè)備，以確保生產(chǎn)過(guò)程中的環(huán)保性。7.廠家信譽(yù)度：選擇信譽(yù)度高、服務(wù)好的廠家，以確保售后服務(wù)質(zhì)量。8.技術(shù)支持：選擇提供技術(shù)支持的廠家，以確保設(shè)備的正常運(yùn)行和維護(hù)。太陽(yáng)能光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）能去除硅片切割損傷層和表面臟污。
電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢(shì)：進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。北京高效濕法堿拋設(shè)備
光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）進(jìn)口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。鄭州HJT濕法供應(yīng)商
電池濕法設(shè)備Perc工藝，濕法制絨設(shè)備功能是去除切割損傷層和表面臟污2.使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，降低反射率3.增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也響應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)?采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu)，提升硅片表面潔凈度，降低表面污染，從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。鄭州HJT濕法供應(yīng)商